การศึกษาปรากฏการณ์ฮอลล์ในสารกึ่งตัวนำโดยเทคนิคของแวน เดอร์ เพาว์

Other Title (Parallel Title in Other Language of ETD)

The study of hall effect in semiconductor by Van der Pauw technique

Author

มนัส แซ่ด่าน, บัณฑิตวิทยาลัย

Year (A.D.)

1983

Document Type

Thesis

First Advisor

อนันตสิน เตชะกัมพุช

Faculty/College

Graduate School (บัณฑิตวิทยาลัย)

Degree Name

วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต

Degree Level

ปริญญาโท

Degree Discipline

ฟิสิกส์

DOI

10.58837/CHULA.THE.1983.452

Abstract

การวิจัยได้ศึกษาเทคนิคการวัดค่า สภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ของฮอลล์วิธีของ แวน เดอร์ เพาว์ เพื่อเปรียบเทียบกับวิธีการวัดแบบธรรมดา ผลการทดลองปรากฏว่าการวัดค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าทั้งสองวิธีไม่แตกต่างกัน ส่วนการวัดค่าสัมประสิทธิ์ของฮอลล์ พบว่าถ้าเลือกจุดวัดที่เหมาะสมแล้ว การวัดทั้งสองวิธีจะให้ผลสอดคล้องกันเช่นเดียวกัน ในการใช้เทคนิคการวัดแบบ แวน เดอร์ เพาว์ วัดค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ของฮอลล์ของผลึกกึ่งตัวนำซิลิกอน ในช่วงอุณหภูมิประมาณ 290 K ถึง 460K โดยใช้อุปกรณ์ควบคุมอุณหภูมิที่สร้างขึ้นเองจากวัสดุที่มีทั่วไปในประเทศ ผลการทดลองพบว่า ผลึกซิลิกอนที่วัดเป็นชนิดเอ็น ช่วงอุณหภูมิ 290 K ถึง 420 K เป็นช่วงเอ็กซคลูชั่นมีความหนาแน่นของพาหะเฉลี่ย (6.04 ± 0.15) X 1019 เมตร-3 และสภาพเคลื่อนได้ µ สัมพันธ์กับอุณหภูมิ T µ α T-2.6 ซึ่งเหมือนกับการทดลองของ F.J. Merin กับ J.P. Maita และสอดคล้องกับทฤษฏีที่ว่า สภาพเคลื่อนได้ µ จะลดลงเมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น เนื่องจากอันตรกิริยากับโฟนอน เครื่องมือที่สร้างขึ้นสามารถนำไปใช้ในการศึกษาปรากฏการณ์ฮอลล์ของผลึกกึ่งตัวนำอื่นๆที่มีคุณสมบัติใกล้เคียงกัน

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-No Derivative Works 4.0 International License.

Recommended Citation

แซ่ด่าน, มนัส, "การศึกษาปรากฏการณ์ฮอลล์ในสารกึ่งตัวนำโดยเทคนิคของแวน เดอร์ เพาว์" (1983). Chulalongkorn University Theses and Dissertations (Chula ETD). 50872.
https://digital.car.chula.ac.th/chulaetd/50872