Chulalongkorn University Theses and Dissertations (Chula ETD)
การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์
Other Title (Parallel Title in Other Language of ETD)
A study of ohmic contacts to gallium arsenide
Year (A.D.)
1988
Document Type
Thesis
First Advisor
บรรยง โตประเสริฐพงศ์
Second Advisor
ชุมพล อันตรเสน
Faculty/College
Graduate School (บัณฑิตวิทยาลัย)
Degree Name
วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต
Degree Level
ปริญญาโท
Degree Discipline
วิศวกรรมไฟฟ้า
DOI
10.58837/CHULA.THE.1988.633
Abstract
จุดมุ่งหมายของการวิจัยนี้เพื่อศึกษาพื้นฐานของวิธีการสร้างผิวสัมผัสโอห์มมิกแกลเลียมอาร์เซไนด์ ผลการทดลองพบว่าผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์ชนิดเอ็นใช้โครงสร้าง Ni (200 Å/Au-Ge (300 Å)/GaAS (n+≃3x10¹⁸/ลบ.ซม.) มีค่าความต้านทานจำเพาะผิวสัมผัสต่ำสุด 3.36x10⁻⁶ โอห์ม-ตร.ซม. เมื่อได้ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิ 475 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 นาที และผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์ชนิดพีในโครงสร้าง Au-Zn (200 Å)/GaAS p+2x10¹⁸/ลบ.ซม.) มีค่าความต้านทานจำเพาะผิวสัมผัสต่ำสุด คือ 8.22x10⁻⁵ โอห์ม-ตร.ซม. เมื่อได้ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 6 นาที ตัวอย่างที่ผ่านการแอนนีลในเงื่อนไขที่เหมาะสมจะมีลักษณะสมบัติกระแส-แรงดันของผิวสัมผัสเป็นเชิงเส้น ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นอิทธิพลองเวลาและอุณหภูมิที่ใช้ในการแอนนีล สุดท้ายนี้ของการวิจัยได้นำผลที่ได้จากการทดลองไปประยุกต์ใช้งานในการสร้างไดโอดที่ทำจากแกลเลียมอาร์เซไนด์ เพื่อสาธิตประโยชน์ของความรู้นี้ในกระบวนการผลิตสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ
Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-No Derivative Works 4.0 International License.
Recommended Citation
รัตนธรรมพันธ์, สมชัย, "การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์" (1988). Chulalongkorn University Theses and Dissertations (Chula ETD). 45237.
https://digital.car.chula.ac.th/chulaetd/45237