Chulalongkorn University Theses and Dissertations (Chula ETD)

Liquid phase epitaxy of semiconducting tin on indium antimonide

Other Title (Parallel Title in Other Language of ETD)

อีพิแทกซีสภาวะเหลวของดีบุกกึ่งตัวนำบนอินเดียมแอนติโมไนด์

Year (A.D.)

1988

Document Type

Thesis

First Advisor

Somphong Chatraphorn

Second Advisor

Wirojana Tantraporn

Faculty/College

Graduate School (บัณฑิตวิทยาลัย)

Degree Name

Doctor of Philosophy

Degree Level

Doctoral Degree

Degree Discipline

Physics

DOI

10.58837/CHULA.THE.1988.762

Abstract

Islets of α-Sn have been epitaxially grown by he Liquid Phase Epitaxy (LPE) technique on (111)B InSb substrate in Sn-Hg melt at 7.5-12.5 C. That epitaxial growths are in islet form is believed to be due to the presence of an oxide layer with pin-holes on InSb substrate. The x-ray back reflection technique and the Election-Probe Micro Analysis (EPMA) were used to confirm α-Sn epitaxy on InSb. The α-Sn phase is stable to approximately 60C, which is comparable to the results obtained by Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique reported by other workers. The optical microscope and Scanning Electron Microscope (SEM) were used to evaluate the crystalization results.

Other Abstract (Other language abstract of ETD)

ผลึกขนาดเล็กของดีบุกกึ่งตัวนำ สามารถเตรียมได้โดยวิธีอีพิแทกซีสภาวะเหลว จากสารละลายของดีบุกกับปรอทที่อุณหภูมิ 7.5-12.5 C บนแผ่นรองรับอินเดียมแอนติโมไนด์ หน้า (111)B ที่เตรียมได้ผลึกขนาดเล็กนั้นเชื่อว่าเพราะมีชั้นออกไซด์บนแผ่นรองรับอินเดียมแอนติโมไนด์ และมีรูขนาดเล็กทะลุชั้นออกไซด์ถึงแผ่นรองรับนั้น ได้ตรวจสอบผลึกดีบุกกึ่งตัวนำบนอินเดียมแอนติโมไนด์ ด้วยวิธีการสะท้อนกลับของรังสีเอ็กซ์ และวิธีวิเคราะห์สารขนาดเล็กด้วยลำอิเลคตรอน (EPMA) ผลึกดีบุกกึ่งตัวนำที่ได้มีเสถียรภาพถึงอุณหภูมิประมาณ 60C ซึ่งใกล้เคียงกับผลที่ได้โดยวิธีอีพิแทกซีจากลำโมเลกุล (MBE) จากผลงานผู้อื่น ตรวจสอบลักษณะของผลึกดีบุกกึ่งตัวนำด้วยกล้องจุลทรรศน์ธรรมดาและกล้องจุลทรรศน์อิเลคตรอน (SEM)

Link to Full Text

Share

COinS