Chulalongkorn University Theses and Dissertations (Chula ETD)

ระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริง

Other Title (Parallel Title in Other Language of ETD)

Thin film coating system by sputtering technique

Year (A.D.)

1992

Document Type

Thesis

First Advisor

ขจรยศ อยู่ดี

Faculty/College

Graduate School (บัณฑิตวิทยาลัย)

Degree Name

วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต

Degree Level

ปริญญาโท

Degree Discipline

ฟิสิกส์

DOI

10.58837/CHULA.THE.1992.596

Abstract

ในงานวิจัยนี้ได้ทำการออกแบบและสร้างระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริงขึ้นมา แหล่งกำเนิดไฟฟ้ากระแสตรงโวลต์สูงใช้สำหรับสร้างสนามไฟฟ้าขึ้นระหว่างขั้วอิเล็กโทรดมีแรงเคลื่อนไฟฟ้าสูงสุดประมาณ 2000 โวลต์ ขั้วคาโธดที่เป็นเป้าทำด้วยแผ่นบางกลมของโมลิบดีนัม มีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางเท่ากับ 10 เซ็นติเมตร และหนาเท่ากับ 0.05 เซ็นติเมตร แผ่นรองรับฟิล์มบางตลอดการทดลองใช้กระจบปิดสไลด์ธรรมดา เพื่อปัองกันการสปัตเตอร์ที่บริเวณขอบและผิวบนของขั้นดาโธดและลดการอาร์คที่อาจจะเกิดขึ้น ได้คลุมบริเวณดังกล่าวด้วยแผ่นสเตนเลสที่ต่อลงดินไว้ อนุภาคพลังงานสูงสำหรับกระบวนการสปัตเตอริงในการทดลองนี้คืออิออนของกาซอาร์กอน ในโกลว์ดิสชาร์จความดันการซอาร์กอนในภาชนะสุญญากาศถูกควบคุมให้คงที่ด้วยการปรับวาล์วรูเข็ม ความดันต่ำสุดในภาชนะสุญญากาศมีค่าประมาณ 5x 10-4 ทอร์ อัตราการเคลือบฟล์มบางโมลิบดีนัมมีค่าประมาณ 0.5 ไมครอนต่อชั่วโมง พบว่าโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางไม่สมบูรณ์ โดยตรวจสอบด้วยวิธีเอ็กซ์เรย์ดิฟแฟรคชั่นและสภาพต้านทานไฟฟ้า[สัญลักษณ์] ต้นแบบของฟิล์มมีค่าประมาณ 155 ไมโครโอห์ม-เมตร โดยวัดด้วยวิธีแวนเดอร์เพาว์

Share

COinS