Chulalongkorn University Theses and Dissertations (Chula ETD)

ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของรอยต่อวิวิธพันธุ์ของเซลล์แสงอาทิตย์ CulnSe2/CdS ชนิดฟิล์มบาง

Other Title (Parallel Title in Other Language of ETD)

Electrical characterization of CulnSe2/CdS thin film solar cell heterojunction

Year (A.D.)

1995

Document Type

Thesis

First Advisor

ขจรยศ อยู่ดี

Faculty/College

Graduate School (บัณฑิตวิทยาลัย)

Degree Name

วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต

Degree Level

ปริญญาโท

Degree Discipline

ฟิสิกส์

DOI

10.58837/CHULA.THE.1995.683

Abstract

ได้มีการเตรียมรอยต่อวิวิธพันธุ์ CulnSe2/Cds ขึ้น เพื่อทำการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าทั้งรอยต่อชนิดที่เตรียมขึ้นบนชิ้นผลึกเดี่ยวของ CulnSe2 และรอยต่อชนิดฟิล์มบาง อีกทั้งได้จัดสร้างระบบวัดลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของรอยต่อซึ่งควบคุมและบันทึกผลด้วยคอมพิวเตอร์ เพื่อช่วยในการวัดและศึกษารอยต่อที่เตรียมขึ้น จากผลการศึกษา พบว่า รอยต่อที่เตรียมได้แสดงสมบัติการเรียงกระแสที่ดีในเชิงของการเป็นไดโอด โดยให้ค่าของตัวแปรอุดมคติประมาณ 2.0 ที่ค่ากระแสอิ่มตัวเท่ากับ 3.28 x10-7 A สำหรับรอยต่อชนิดที่เตรียมบนชิ้นผลึกเดี่ยว และประมาณ 1.41x10-6 A สำหรับรอยต่อชนิดฟิล์มบาง และพบว่า รอยต่อที่เตรียมได้มีการตอบสนองต่อแสงในเชิงของการเป็นเซลล์แสงอาทิตย์ได้พอสมควร โดยให้ค่าประสิทธิภาพการแปลงพลังงานประมาณ 1.24% ที่ค่ากระแสปิดวงจร 0.55 mA และที่ความต่างศักย์เปิดวงจร 215 mV จากลักษณะเฉพาะความจุไฟฟ้า-ความต่างศักย์ พบว่า ความต่างศักย์การแพร่มีค่าประมาณ 0.4-0.5 v และความเข้มข้นพาหะมีค่าประมาณ 1016 cm-1 ซึ่งใกล้เคียงกับค่าจากการวัดสภาพเคลื่อนที่ได้ของฮอลล์ อีกทั้งพบการปรากฏของสิ่งเจือระดับลึกในโครงสร้างรอยต่อ จากการศึกษาลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ ที่อุณหภูมิต่างๆ ในช่วง 115-273 K พบว่า กลไกการขนส่งระหว่างรอยต่อสอดคล้องกับแบบจำลองการทะลุผ่าน-รวมตัว

Other Abstract (Other language abstract of ETD)

The CuInSe2/Cds heterojunctions were fabricated for the study of electrical characteristics, using both single crystals and thin films of CuInSe2. The computerized electrical characteristic measurement system was set up to use in this heterojunction study. From the results, the prepared heterojunctions showed a good diode rectification behavior with an ideality factor of about 2.0 and a saturated current of about 3.28x10-7 A and 1.41x10-6 A in the case of the single crystals and thin films, respectively. The Junctions also showed response to light with a conversion efficiency of about 1.24˚at 0.55 mA of shorted circuit current and 215 mV of open circuit voltage. From the C-V measurement, it was found that the diffusion voltage was about 0.4-0.5 V and the carrier concentration was about 1016 cm-3 which are near the values obtained from the hall mobility measurement. Deep-level impurities were also observed at the junction interface. The I-V measurement at temperature range of about 115-273 K showed that the transport mechanism between the junctions was consistent with the tunneling-recombination model.

Link to Full Text

Share

COinS